制备纤维增强陶瓷复合材料的方法主要有溶胶-凝胶法(Sol-gel)、烧结法(RP)、热压法(HP)、化学气相沉积法(CVD)、先驱体浸渍裂解法(PIP)以及化学气相渗透法(CVI)等。其中，制备Cf//SiC最常用的方法是先驱体浸渍裂解法和化学气相渗透法。

　　1.先驱体浸渍裂解法

　　先驱体漫渍裂解法(PIP)也称为先驱体转化法，其主要工艺过程是以纤维预制件为骨架，将有机硅聚合物，如聚碳硅烷(PCS)作为先驱体，在真空条件下浸渍先驱体溶液，交联固化(或晾干)后在惰性气氛中进行高温裂解，重复浸渍(交联)裂解过程，使材料致密化。

　　对于PIP法制备得到的Cf//SIC，其致密度与界面心是影响材料性能的两个关键因素，为了改善界面结合，目前一般采用纤维涂层的方法；为了提高材料的致密度，般采用增加浸渍次数，提高浸渍效率，提高先驱体的陶瓷产率和加入活性填料等方法。研究人员研究TiH2粉在以聚碳硅烷为先驱体裂解制备SiC陶瓷材料中的应用，结果表明，TiH2粉能缓和聚碳硅烷的裂解反应，增加先驱体的陶瓷产率，提高陶瓷材料的强度和高温性能。但是TiH2不能降低PCS在裂解过程中的收缩和气孔率。研究人员对裂解工艺对先驱体转化制备Cf/SiC材料结构与性能的影响进行研究，指出：提高裂解升温速率可以增大材料密度，形成较理想的界面结合；Cf/SiC复合材料在某个周期采用较高温度(1600℃)裂解可以弱化界面，增大材料致密度，从而提高材料的力学性能。

　　先驱体浸渍裂解法(PIP)优点是：陶瓷先驱体能在相对较低的温度(800~1200℃)下完成无机化转变，工艺简单，设备少，能够制造形状复杂的构件。缺点是：先驱体在裂解过程中释放气体，产生体积收缩，易使产品出现组织疏松、裂纹等缺陷，强度较低。

　　2.化学气相渗透法

　　化学气相渗透法(CVI)是在化学气相沉积法(CVD)的基础上发展起来的。CVI是引导气体渗入到多孔材料内部沉积，以达到使材料致密化的目的。如在制取SiC基复合材料时，SiC要渗透在材料内部形成SiC基体。法国最先利用化学气相渗透(CVI)技术，并处于世界领先水平。

　　由于化学气相渗透工艺过程中受沉积反应温度、MTS(CH3SiCl3 )摩尔分数和气体流量的影响，为了提高SiC沉积速率和MTS利用率，近年来在工艺优化方面进行了大量的研究。

　　化学气相渗透法(CVI)法的优点是：能在较低温度下(800~ 1200℃)制备SiC陶瓷，而传统烧结法烧结温度在2000℃以上；能从微观尺度上对界面相、化学成分及晶体取向进行设计；能制备近净尺寸成形的形状复杂的部件；制备温度较低，纤维损伤小。CVI法的缺点是：生产周期长，生产成本高，致密度较低(一般都存在10%~15%的孔隙率)。